하이닉스반도체는 4일 국제 반도체 표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배가량 높인 차세대 D램 규격이다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현, 기존 DDR3 1333Mbps 제품 대비 처리 속도가 80%가량 향상됐다. 이는 DVD급 영화 4~5편에 해당하는 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다.

하이닉스반도체는 2012년 하반기부터 DDR4 D램을 본격적으로 양산할 계획이다.

류지영기자 superryu@seoul.co.kr